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                    英飛凌氮化鎵解決方案投入量產

                    2018-11-15

                    2018年11月13日,德國慕尼黑訊—英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)攜氮化鎵(GaN)解決方案CoolGaN? 600 V增強型HEMT和氮化鎵開關管專用驅動IC(GaN EiceDRIVER? IC),精彩亮相2018年德國慕尼黑電子展。英飛凌展示了其產品的優越性:它們具備更高功率密度,可實現更加小巧、輕便的設計,從而降低系統總成本和運行成本,以及減少資本支出。隨著CoolGaN 600 V增強型HEMT和GaN EiceDRIVER柵極驅動IC的推出,目前,英飛凌是市場上唯一一家提供涵蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產品的公司。


                    CoolGaN 600 V增強型HEMT: 
                    最新發布的CoolGaN 600 V增強型HEMT采用可靠的常閉概念,它經專門優化,可實現快速開通和關斷。它們可在開關模式電源(SMPS)中實現高能效和高功率密度,其優值系數(FOM)在當前市場上的所有600 V器件中首屈一指。CoolGaN開關的柵極電荷極低,且具有極少輸出電容,可在反向導通狀態下提供優異的動態性能,進而大幅提高工作頻率,從而通過縮小被動元器件的總體尺寸,提高功率密度。 英飛凌CoolGaN 600 V增強型HEMT在功率因數校正(PFC)變流器里具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%)。相同能效下的功率密度可達到160 W / in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在諧振拓撲中,CoolGaN線性輸出電容可將死區時間縮短至八分之一到十分之一。

                    放眼市場,CoolGaN擁有行業領先的可靠性。在質量控制過程中,我們不僅對器件本身進行全面測試,而且對其在應用環境中的性能進行全面測試。這確保了CoolGaN開關滿足甚至優于最高質量標準。


                    CoolGaN 600 V增強型HEMT可提供70 m?和190 m?的SMD封裝,確保杰出的散熱性能和低寄生效應。通過提供全系列SMD封裝產品,英飛凌旨在支持高頻運行的應用,如企業級超大規模數據中心服務器、通信整流器、適配器、充電器、SMPS和無線充電設施等。


                    氮化鎵開關管專用驅動IC(GaN EiceDRIVER IC): 
                    英飛凌新推出的氮化鎵開關管驅動芯片EiceDRIVER IC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增強型HEMT的完美搭檔。它們經專門研發,以確保CoolGaN開關實現強健且高效的運行,同時最大限度地減少工程師研發工作量,加快將產品推向市場。

                    不同于傳統功率MOSFET的柵極驅動IC,這個針對英飛凌CoolGaN量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓,以快速關斷氮化鎵開關。在開關應處于關閉狀態的整個持續時間內,GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓穩定保持為零。這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響,哪怕是首脈沖,這對于SMPS實現強健運行至關重要。氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率,幾乎不受工作循環或開關速度影響。這可確保運行穩健性和很高能效,大大縮短研發周期。它集成了電隔離,可在硬開關和軟開關應用中實現強健運行。它還可在SMPS一次側和二次側之間提供保護,并可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。


                    GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引腳LGA 5x5 mm封裝,1EDF5673F采用16引腳DSO 150 mil封裝,1EDS5663H采用16引腳DSO 300 mil封裝。


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